一种改善LPCVD工序中新舟托硅片膜厚偏薄的方法

本发明提供了一种改善LPCVD工序中新舟托硅片膜厚偏薄的方法，通过对新上线舟托进行一轮饱和后，在沉积步时间的基础上，增加新上线舟正常LPCVD工序生产的补偿时间，使在每一次补偿次数对应的LPCVD工序中沉积的硅片LP膜厚达到正常范围值，并经过一定的补偿次数后使新舟托饱和，确保后续LPCVD工序生产的硅片膜厚都能够恒定在规定范围内。本发明解决了新舟托饱和一轮后前10轮生产电池片LP膜厚偏薄的问题，和现有技术的5轮饱和舟方法相比，优点就是能够降低LPCVD工序产能损耗；该方法具有可推广性，LPCVD工序生产产线可实现全覆盖；该方法具有可操作性，产线人员可根据LP膜厚控制范围的变更随时更算法中补偿值与补偿次数。