一种用于电源管理芯片的微流道热管理结构及其低温键合工艺

本申请涉及一种用于电源管理芯片的微流道热管理结构及其低温键合工艺，属于半导体封装领域，包括DC‑DC转换器晶圆、数字控制晶圆、TSV硅通孔阵列、蛇形微流道，其特征在于，所述TSV硅通孔阵列设置于DC‑DC转换器晶圆与数字控制晶圆之间；所述TSV硅通孔阵列与蛇形微流道呈30°±5°夹角交错排布，流道宽度公差≤±1.5μm；所述微流道内部填充氨水基纳米流体，体积浓度为5%‑8%，所述微流道热管理结构包含梯度孔隙率铜/石墨烯复合层。本申请解决了现有的芯片结构虽有微流道散热结构，但未与TSV通孔协同设计，散热效果受限，石墨烯散热膜界面接触电阻高，实际散热性能不佳。