一种SiC功率器件的多层电路保护结构

本发明涉及SiC功率器件技术领域，具体地说，涉及一种SiC功率器件的多层电路保护结构。其包括至少两个SiC功率器件，所述SiC功率器件并联设置；一驱动电路，所述驱动电路对应每一个SiC功率器件的门级均连接有一开通路径和一关断路径。本发明通过对驱动电路的改进，实现驱动电路通过差异化调节各器件的门极电阻，抵消Vgs‑th差异导致的开关时间差，从而减少或补偿由Vgs‑th差异造成的开通和关断时间差，解决因Vgs‑th差异较大导致发生热失控的问题。