一种双传感器正交布局下的磁场干扰动态校准方法和系统

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一种双传感器正交布局下的磁场干扰动态校准方法和系统
申请号:CN202511011486
申请日期:2025-07-22
公开号:CN120703670A
公开日期:2025-09-26
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种双传感器正交布局下的磁场干扰动态校准方法和系统,将预设的材料磁导率动态响应图谱与贴近双传感器的金属物体的磁导率特征进行匹配,得到磁导率扰动关联特征;将磁导率扰动关联特征与预设的磁场扰动强度梯度进行关联,以生成金属物体扰动强度预测值;对金属物体扰动强度预测值进行量化,得到双传感器表面的磁场畸变量;应用预设的阻抗匹配反馈网络对磁场畸变量对应的电路参数进行调谐处理,生成优化阻抗参数;利用双传感器采集正交磁场信号,基于优化阻抗参数校正正交磁场信号,生成校准磁场信号以进行动态干扰校准。本发明实现了金属近场环境下对涡流效应与磁滞衰减的协同抑制,突破了传统校准方法在动态移动场景中的实时性瓶颈。
技术关键词
动态校准方法 传感模型 传感器 参数 物体 强度 交叉干扰抵消 幅值 动态校准系统 图谱 存储组件 布局 信号调理单元 信号采集电路 涡流 补偿值
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沪ICP备2023015588号