MOS开关调控的增益毫米波可编程超表面

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MOS开关调控的增益毫米波可编程超表面
申请号:CN202511013932
申请日期:2025-07-23
公开号:CN120601157A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种MOS开关调控的增益毫米波可编程超表面,属于新型人工电磁材料领域。该结构实现了一种集成功率放大器和MOS开关芯片的反射式超表面单元,在高隔离度双极化矩形贴片天线单元结构中实现x极化波接收,并经微带传输放大后以y极化波再辐射,通过调节MOS开关芯片的通断可以改变y极化反射相位,其使得能够在保证信号有源放大的同时具有很好的1bit效果,从而实现超表面单元的编码态切换和超表面阵列的远场波束调控。这是一种具有有源放大功能的毫米波人工电磁表面,有望解决当前反射式超表面存在的路径损耗和反射损耗问题,以及可编程超表面偏置电路引起的射频信号泄露问题,在智能通信、成像和计算技术等领域具有重要的潜在应用。
技术关键词
可编程超表面 MOS开关 开槽金属 功率放大器芯片 衬底基片 微带 新型人工电磁材料 集成功率放大器 人工电磁表面 多层介质结构 矩形贴片天线 沙漏 现场可编程门阵列 射频 链路 金属结构 背板 波束调控 毫米波频段
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