半导体结构的切割方法及芯片单元

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构的切割方法及芯片单元，半导体结构包括衬底和位于衬底上的器件层，器件层包括多个芯片单元和位于相邻两个芯片单元之间的切割区，切割区包括介质层和嵌设于介质层内的导电结构，切割方法包括：对切割区进行切割，以形成切割沟道；在垂直于衬底的表面的方向上，切割沟道贯穿介质层和导电结构，并露出衬底；对位于切割沟道底部的部分衬底进行等离子体蚀刻，以形成分割槽；去除位于分割槽底部的衬底。本公开的切割方法可减少残留，提高芯片单元的良率。