整流二极管芯片的生产方法

本申请公开了一种整流二极管芯片的生产方法，涉及芯片生产领域，其首先遵循标准的芯片制造流程，包括N型硅晶圆的初始氧化处理以形成二氧化硅层，随后通过光刻、刻蚀形成窗口区域，接着进行P型掺杂扩散以形成关键的P‑N结，并辅以结终端玻璃钝化和金属层制作，从而构建出完整的二极管芯片结构。其中在初始氧化通过创建实时批次档案并连续采集氧化和扩散等工艺的实时温度数据，进行时序特征提取，实现跨工步关联分析。这不仅能提前发现异常，还可生成可执行建议，实现精准预警和干预。最终，该方案通过对生产过程的实时精细化管理，显著提升了良率预测的准确性，避免了批次废品。