一种避免光刻胶低温胶裂铟下渗的铟薄膜沉积方法

本发明公开了一种避免光刻胶低温胶裂铟下渗的铟薄膜沉积方法，属于红外探测器领域。该方法把常规的一次降温和一次沉积改为多次降温和多次沉积，即沉积温度分多次降到目标温度，每次降温至目标温度后沉积一层铟薄膜，通过多次降温多次沉积形成阶梯式周期，最终完成铟薄膜沉积。该方法利用铟薄膜的粘附性和低温下的柔韧性优点，通过在光刻胶表面沉积的铟薄膜吸收一部分光刻胶内部由于低温引入的应力，从而抑制光刻胶低温开裂。此外，该方法还可抑制在深低温下光刻胶裂纹的延伸，并通过先一步较高温度沉积的铟薄膜阻挡后续低温段沉积的铟透过裂纹下渗，防止铟下渗造成的读出电路损坏。