摘要
本发明公开了一种基于模型预测结温控制的混合开关驱动方法,获取Si IGBT器件的实时壳温值和结温值以及SiC MOSFET器件的实时壳温值和结温值,然后构建每个器件结温和壳温之间的关系,以此建立混合开关的结温预测模型和损耗预测模型,然后通过所述结温预测模型和所述损耗预测模型构建成本函数,通过所述成本函数的最小值对应的软关断时间,对所述混合开关的通断进行控制。与现有技术相比,在平衡Si IGBT与SiC MOSFET器件之间的结温分布的同时,实现功率损耗的协同优化,即降低混合开关的功率损耗,有效提升混合开关的稳定性和运行效率。
技术关键词
SiCMOSFET器件
混合开关
关断时间
驱动方法
结温
损耗
温度传感器
热阻
热网络模型
功率
电压传感器
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