提高碲镉汞芯片欧姆孔和金属电极成型腐蚀一致性的方法

本发明公开了一种提高碲镉汞芯片欧姆孔和金属电极成型腐蚀一致性的方法，该方法通过在干法刻蚀和湿法腐蚀间，加入氧等离子体处理步骤，使光刻胶及碲镉汞等材料表面形成羟基（‑OH）和羧基（‑COOH）等亲水性官能团，促使表面亲水性增强，从而增强腐蚀液的浸润效果。在介质膜或碲镉汞腐蚀时，该方法有效避免了湿法腐蚀时表面未完全浸润出现的气泡孔洞，使腐蚀液进入光刻图案中与介质膜或光敏层充分接触反应。在金属腐蚀时，能提高腐蚀液和金属的浸润性，提高腐蚀液的腐蚀能力和腐蚀均匀性。本发明能够有效改善腐蚀过程中碲镉汞材料、介质膜、光刻胶表面的浸润性，解决了湿法腐蚀过程表面及光刻图案内的气泡、腐蚀不完全等问题。