一种高功率芯片封装结构及封装方法

本发明公开了一种高功率芯片封装结构及封装方法，该封装方法包括以下步骤：在硅晶圆的正面上制备重布线层；在所述重布线层上临时键合增厚支撑层，所述增厚支撑层通过临时键合胶固定；对硅晶圆的背面进行减薄处理至目标厚度；在减薄后的硅晶圆背面制备介电层；在所述介电层上制备金属层；在所述金属层上贴覆高分子膜；解除所述增厚支撑层和临时键合胶；切割获得单颗芯片封装结构。本发明既能解决大功率芯片的散热问题，又提高了芯片的机械性能，并使芯片的厚度可以降到更薄，提高了高功率芯片产品的应用广泛性。