一种微腔增强的光量子芯片及其制备方法

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一种微腔增强的光量子芯片及其制备方法
申请号:CN202511018126
申请日期:2025-07-23
公开号:CN120722494A
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种微腔增强的光量子芯片,包括总线波导、耦合器、光学谐振器及光子学平台,光子学平台上形成有总线波导、耦合器及光学谐振器,其中,光学谐振器由量子光源波导和环形波导构成,量子光源波导形成在环形波导的直波导上,量子光源波导的光信号进入环形波导再传输至总线波导,耦合器位于总线波导的一端作为输出端。本发明提供一种微腔增强的光量子芯片的制备方法,包括:在第一衬底上依次形成下包层和波导层,对波导层进行刻蚀得到环形波导、总线波导及耦合器;在第二衬底上依次形成各层,去除牺牲层,并得到量子光源波导;将量子光源波导转印至环形波导的直波导上完成器件制备。本发明的单光子品质相比于没有微腔增强的芯片更加优异。
技术关键词
波导 光学谐振器 微腔 光源 芯片 衬底 外延 环形 光信号 发光层 光栅耦合器 纺锤形 平台 阵列 基底 环状 输出端
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