多结VCSEL器件及VCSEL芯片

本发明提供了一种多结VCSEL器件及VCSEL芯片，多结VCSEL器件包括依次设置的衬底、底部反射层、谐振腔和顶部反射层；谐振腔内包括层叠设置的多个有源区和多个光电限制层，至少一有源区与一光电限制层相邻，至少一有源区位于对应一光电限制层与底部反射层之间，相邻光电限制层之间设有至少一有源区，其中，各有源区与各光电限制层之间的排布还满足以下条件：相邻光电限制层之间、底部反射层与靠近底部反射层的光电限制层之间的有源区数量不同。本发明可以提升辐射复合效率，将更多的能量转化为光输出，直接转化为更高的输出功率。