一种集成电压传感器的功率半导体器件

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正文
推荐专利
一种集成电压传感器的功率半导体器件
申请号:CN202511031862
申请日期:2025-07-25
公开号:CN121013358A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本发明实施例提供了一种集成电压传感器的功率半导体器件,电压传感器包括:集电极金属、集电极P+区、缓冲区、漂移区、第一存储层、第一P型阱区、第一介质层、电子势垒区、有源区、控制电极、控制电极金属和采样电极金属,在功率半导体器件上集成了电压传感功能,进而可以将电压传感器与功率半导体器件功能集成在同一芯片上,减少外围电路的复杂性。在集成电压传感器的功率半导体器件关断过程中,集电极电压会逐渐上升,电压传感器有源区中的电子在电场的作用下进入第一存储层和漂移区,形成电流,该电流流经外部连接的采样电阻,产生采样信号,可用于集成电压传感器的功率半导体器件的电压检测、过压保护和反馈控制,提高了器件的可靠性。
技术关键词
集成电压传感器 功率半导体器件 欧姆接触区 采样电阻 电子 有源区 MOS结构 电极 介质 二氧化硅 凹槽 包裹 沟槽 复合材料 电流 氮化硅 芯片 信号
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