一种六方相Cu3GeS4量子点及其制备方法和应用

本发明属于新型多组分光电转换材料领域，具体涉及一种六方相Cu3GeS4量子点、其制备方法及应用。所述Cu3GeS4量子点的晶型为六方相，其微观形貌为纳米级的球状和/或多面体状结构，制备方法包括：（1）将二氧化锗在巯基乙酸和氨水介质中溶解备用；（2）将铜源溶于高沸点有机溶剂并加热至第一温度恒温反应一段时间，然后快速升温至第二温度，注入锗溶液，待反应完成后分离出其中的固体产物，即得。上述Cu3GeS4量子点结晶度高、单分散性高、形貌尺寸均一，合成方法反应条件温和、工艺简单，实现了尺寸可控、形貌均一、结晶度高、单分散的六方相Cu3GeS4量子点的可控制备，该纳米材料可潜在应用于光电转换领域。