TLB缓存、内存管理单元、芯片、电子设备及方法

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正文
推荐专利
TLB缓存、内存管理单元、芯片、电子设备及方法
申请号:CN202511039410
申请日期:2025-07-28
公开号:CN120994580A
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种TLB缓存、内存管理单元、芯片、电子设备及数据处理方法,属于计算机领域。该TLB缓存包括:标量数据阵列、矢量标签阵列以及控制单元。标量数据阵列,用于存储页表数据;矢量标签阵列,用于存储TAG标签,所述TAG标签用于判断所述TLB缓存是否存储有地址翻译请求对应的页表数据,所述矢量标签阵列支持多种页表尺寸大小;控制单元,用于在所述矢量标签阵列中存在同一行的多个TAG标签对应同一个页表数据的情况下,将所述多个TAG标签进行合并。本申请可以释放TLB缓存的存储资源,减少TLB颠簸情况的发生,进而提高处理器访存性能。
技术关键词
页表数据 标签 内存管理单元 阵列 控制单元 数值 标识 数据处理方法 尺寸 坐标 电子设备 芯片 内核 存储器 处理器
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