一种用于芯片散热的高导热膜及其制备方法

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一种用于芯片散热的高导热膜及其制备方法
申请号:CN202511040138
申请日期:2025-07-28
公开号:CN120885418A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本申请涉及导热膜技术领域,尤其涉及一种用于芯片散热的高导热膜及其制备方法。先将氧化石墨烯分散在溶剂中配制氧化石墨烯分散液,再引入添加偶联剂混合反应,得到氧化石墨烯浆料,再以经稀硫酸活化的超薄多孔铜箔为基材,将氧化石墨烯浆料直接涂布于超薄多孔铜箔两面,热处理还原氧化石墨烯浆料的同时,可以有效地将中间层中的铜扩散至石墨烯片层之间,形成石墨烯铜复合结构;再经碳化、石墨化以及真空热压处理,得到用于芯片散热的高导热膜。本申请制备的用于芯片散热的高导热膜的面内热导率≥2012 W/mK,面外热导率≥95W/mK,具有优异的散热性能和力学性能。同时本申请的制备方法简单易行,操作条件温和,经济环保,适用于大规模生产。
技术关键词
超薄多孔铜箔 氧化石墨烯浆料 复合薄膜 氧化石墨烯分散液 石墨化 芯片 乙烯基三乙氧基硅烷 导热膜技术 溶液 还原氧化石墨烯 偶联剂 涂布基材 真空 去离子水 平压机
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