面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法

本发明公开了一种面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法，包括：在氮化镓晶圆的第二表面划分第一阵列化区域；在处理后的氮化镓晶圆的第二表面淀积中间材料形成第一膜层；在第二载片的第一表面划分第二阵列化区域，在第二阵列化区域制备金刚石形成金刚石模块；在处理后的金刚石模块暴露出的表面淀积中间材料形成第二膜层；将预设的掩膜板覆盖于第二膜层上，在至少部分第二膜层上淀积中间材料形成第三模层；将第一阵列化区域对准第二阵列化区域，将第一载片承载的处理后的氮化镓晶圆与第二载片承载的处理后的金刚石模块压合，使得第一膜层与第二膜层、或第一膜层与第三膜层键合在一起。本发明能够减少键合工艺中的能耗与损耗成本。