基于神经网络的电子束曝光荷电效应修正方法、介质及系统

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正文
推荐专利
基于神经网络的电子束曝光荷电效应修正方法、介质及系统
申请号:CN202511051878
申请日期:2025-07-29
公开号:CN120909075A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于神经网络的电子束曝光荷电效应修正方法、介质及系统,方法包括步骤:S1、获取邻近效应修正后的剂量图及预计算的版图密度图,生成单位面积曝光剂量图;S2、将曝光版图划分曝光区域与非曝光区域;对曝光区域采用U‑Net网络架构建模电荷密度分布,输出电荷密度分布;对非曝光区域采用单层网络或高斯扩散函数得到电荷密度分布;S3、将仿真所得单位电荷响应函数输入1×1卷积神经网络块,学习非线性映射关系以修正机械安装及环境误差;S4、基于步骤S2中的电荷密度分布和步骤S3中修正后的单位电荷响应函数,计算电子束偏转量并生成图形偏移图。本发明具有修改精度高等优点。
技术关键词
修正方法 电子束 邻近效应修正 非线性映射关系 解码器 版图 密度 卷积模块 网络架构 编码器 神经网络模型 抗蚀剂材料 蒙特卡洛法 基底结构 修正系统 计算机程序产品 处理器 分辨率
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