一种铟阵列内单铟球去除方法及系统

本发明属于半导体技术领域，提供了一种铟阵列内单铟球去除方法及系统，方法包括：模糊定位、高度数据测量、最终电路厚度数据计算、原始读出电路固定、十字叉丝对齐、下降高度信息计算、抽真空及加热、钨铂合金冷针穿刺、目标异常铟球剔除以及冷却及加压；本发明通过定位、加热、冷抽取的方式将读出电路阵列内单个铟球去除，避免了读出电路报废、光敏层裂开情况的发生，提高了读出电路的利用率和大面阵器件的成品率，降低了成本。