一种垂直腔面发射激光器的评估方法

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一种垂直腔面发射激光器的评估方法
申请号:CN202511059622
申请日期:2025-08-07
公开号:CN120847593A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本申请涉及激光器的技术领域,尤其是涉及一种垂直腔面发射激光器的评估方法,包括,S1、通过模板将电路图案转移到晶圆上,模板上阵列排布有若干检测区域,检测区域内含有阵列分布的芯片;S2、对检测区域的芯片进行抽样测试;S3、针对抽样的芯片进行25℃测试,获得测试数据T1;S4、针对所有芯片进行25℃测试,获得测试数据T0;S5、针对抽样的芯片进行‑10℃测试,获得测试数据T2;S6、针对抽样的芯片进行85℃测试,获得测试数据T3;S7、将测试数据T1、T2和T3通过二次项数据拟合,得到拟合系数,再通过拟合系数和T0以最小二乘法的方式拟合还原所有芯片不同温度的光电性能数据。所得的数据与实测数据基本一致,节省2/3的测试时间,提高测试效率。
技术关键词
芯片 测试结构 光电 模板 阵列 数据 图案 激光器 晶圆 电路 圆心 线性 方形 环形 参数
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