一种垂直结构LED芯片

本发明公开了一种垂直结构LED芯片，涉及半导体技术领域。垂直结构LED芯片包括P金属电极、外延层、p型金属反射层、n型金属反射层、键合金属层和导电基板；外延层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；键合金属层层叠于导电基板上，n型金属反射层层叠于键合金属层上，p型金属反射层层叠于n型金属反射层的上方，n型金属反射层的顶部穿过p型金属反射层与N型半导体层相接触；P金属电极和p型金属反射层电连接，p型金属反射层和P型半导体层电连接；发光层在p型金属反射层所在平面的正投影完全位于p型金属反射层的正投影区域内。本发明可以在不增加生产成本的基础上，提高垂直结构LED芯片的光提取效率，从而提高亮度。