芯片的虚拟金属填充控制方法、装置、电子设备及介质

本申请公开了一种芯片的虚拟金属填充控制方法、装置、电子设备及介质，涉及芯片设计技术领域。基于DRC密度报告确定芯片的金属层的第一待填充区；其中，第一待填充区的金属密度低于预设密度；基于关键路径对第一待填充区进行分区，得到多个第二待填充区；确定每个第二待填充区对应的填充金属类型；基于第二待填充区对应的填充金属类型，进行金属填充操作；对第一待填充区进行静态时序分析验证。如此实现将第一待填充区划分为多个第二待填充区，不同的第二待填充区采用不同的填充金属类型，以助于增大在填充后的第一待填充区通过静态时序分析验证的概率。且填充后仅需对第一待填充区进行验证，无需全芯片验证，能够缩短芯片设计周期。