刻蚀腔室及倒角刻蚀方法

本申请提供了一种刻蚀腔室及倒角刻蚀方法，刻蚀腔室用于对晶圆的边缘区域进行倒角刻蚀；刻蚀腔室包括：上射频电极，用于在刻蚀腔室内产生等离子体；上等离子体禁区环，上等离子体禁区环设置于晶圆与上射频电极之间，且上等离子体禁区环远离晶圆中心的侧壁在晶圆表面的投影位于边缘区域内；其中，边缘区域包括靠近晶圆中心的第一子区域和远离晶圆中心的第二子区域；部分产生的等离子体能被侧壁反射至第二子区域，以使作用于第一子区域的等离子体浓度低于作用于第二子区域的等离子体浓度；等离子体反射组件，用于将至少部分产生的等离子体反射至第一子区域，以提升作用于第一子区域的等离子体浓度。如此，能够提升晶圆边缘区域倒角刻蚀的均匀性。