集成芯片及其形成方法

本公开的各个实施例针对集成芯片(IC)。IC包括：衬底，包括第一材料。半导体层位于衬底上，并且包括与第一材料不同的第二材料。缓冲层布置在半导体层和衬底之间。缓冲层包括第一材料和第二材料。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。