一种VCSEL芯片制作方法及激光器

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体地，涉及一种VCSEL芯片制作方法及激光器。该制备方法，步骤包括：采用外延技术在底衬上生长得到VCSEL基片；采用生长工艺在VCSEL基片顶部生长得到表面透镜，所述表面透镜的折射率设为由VCSEL基片向上逐渐变化；在所述表面透镜的顶部生长出h‑BN薄膜，获得具有透镜的VCSEL；采用湿法氧化法对VCSEL芯片进行氧化，所述表面透镜的外表面获得氧化层，使得所述表面透镜具有光束聚焦作用，得到VCSEL芯片。实施例制备得到的VCSEL芯片，其有效的将具有聚焦功能的阶梯结构的表面透镜和h‑BN薄膜与VCSEL集成在一起，保证VCSEL芯片整体器件的稳定性。