一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆，本发明将金属走线进行分层布设，并设置预设间距进行隔离；在划片槽的交叉处通过通孔实现不同金属层的金属走线之间的跳线连接，多层金属走线实现高密度信号传输，通过对金属走线的跨层跳线和间距隔离设置可防止在划片时两个相邻的金属线因为切割挤压从而短路在一起。本发明通过分层金属布线结构及间隔布线，实现了对晶圆上数千颗芯片的高效数据烧录，该方法显著降低了寄生电容和短路风险，同时提高了晶圆利用率和烧录效率，芯片阵列的数量和分组方式可根据需求灵活调整，适用于不同规模的芯片制造需求。