一种红外探测器芯片背减薄工艺

本发明公开了一种红外探测器芯片背减薄工艺，包括设计器件版图切割道宽度90‑150微，对切割道区域进行深刻蚀至缓冲层，经减薄工艺和湿法工艺将芯片旧边缘腐蚀去除后产生新的芯片边界，去除划片和减薄工艺过程中对器件边缘造成的损伤，进而提升二类超晶格红外探测器减薄工艺良率；通过刻蚀工艺将切割道区域附近的材料进行刻蚀至外延材料缓冲层，尽管划片后器件边缘有崩边，以及减薄后芯片边角碎裂和边缘区域较薄，经湿法去除衬底厚度至缓冲层，芯片边缘的损伤不再受到划片产生的崩边和减薄产生的边角碎裂与尖角的影响，湿法工艺后将旧边缘腐蚀去除后产生新的芯片边界。