源区均流调控IGBT结构及其制备方法

本发明涉及源区均流调控IGBT结构及其制备方法。源区均流调控IGBT结构包括依次层叠的集电极金属电极、集电极层、场截止层、漂移区、电荷存储层、体区、层间介质层、均流电极和钝化层；体区上具有多个间隔的发射极和均流掺杂柱；均流电极包括多个延伸部，延伸部延伸至发射极或均流掺杂柱；栅极结构嵌入电荷存储层、体区和发射极层中。均流电极上的电流能够从发射极和均流掺杂柱流过，从而均匀化流经整个芯片的电流分布，避免热量聚集形成热点，提升器件的短路耐受能力、可靠性。