一种梯度式铜钼合金配比的压接式功率模块均压均热方法

AITNT
正文
推荐专利
一种梯度式铜钼合金配比的压接式功率模块均压均热方法
申请号:CN202511103557
申请日期:2025-08-07
公开号:CN120955052A
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种梯度式铜钼合金配比的压接式功率模块均压均热方法,属于压接式功率模块均压均热领域,包括:根据压接式功率模块中多个芯片的空间分布,将所述压接式功率模块划分为内部区域、中间区域和外部区域;根据所述内部区域、中间区域和外部区域的划分结果,分别为每个区域的集电极侧和发射极侧设置铜钼合金层;根据所述铜钼合金层的设置结果,形成自内部区域向外部区域线性变化的铜含量梯度;根据所述铜含量梯度的形成结果,建立压接式功率模块的均压均热结构。本发明引入梯度铜钼合金配比方案,提升压接式模块不易散热的中心芯片的散热能力,降低芯片间的热耦合效应。
技术关键词
压接式功率模块 铜钼合金 芯片 仿真模型 压接式模块 多层结构 应力 线性 热分析 纳米 分析模块 中心对称 凸台 稳态 效应
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号