一种倒装银镜发光二极管芯片制备方法及倒装银镜发光二极管芯片

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装银镜发光二极管芯片制备方法及倒装银镜发光二极管芯片。所述的制备方法通过改进P型第一绝缘层通孔和N型第一绝缘层通孔的制备工艺，在光刻板上设置部分曝光区域，保留P型区开孔的部分光刻胶，刻蚀后P型区开孔上方仍可保留有绝缘层，避免Cl离子腐蚀，而且P型第一绝缘层通孔和N型第一绝缘层通孔可一起制备，无需分批，也不需要在金属反射层顶层制备较厚的贵金属做保护层，大幅减小了发光二极管芯片的制备成本。