一种压接型IGBT器件子结构、压接型IGBT器件及其铜烧结方法

本申请属于新型封装材料和技术领域，更具体地，涉及一种压接型IGBT器件子结构、压接型IGBT器件及其铜烧结方法。本发明提供的压接型IGBT器件子结构中含有烧结铜层，其为将背面附着铜膏或铜膜的芯片与制备有Cu种子层的集电极钼块置于腔室内，烘干后在加热条件下先后通入含氧气氛和还原性气氛，先氧化反应产生母相CuO/Cu2O，再通入还原性气氛以将母相CuO/Cu2O还原为高活性铜纳米颗粒，最后在还原气氛中热压烧结得到烧结铜层。实验表明，通过原位氧化和还原后表面含有高活性铜纳米颗粒并热压烧结后形成的烧结铜层使IGBT芯片和集电极钼块表面互连性能有很大的改善。