NOR Flash芯片的预处理方法、系统及装置

本申请提供一种NOR Flash芯片的预处理方法、系统及装置，涉及存储器技术领域，解决了现有技术浮栅型NOR Flash在出厂状态下，由于隧穿氧化层中的陷阱电荷导致数据保持能力较低的技术问题。该方法包括：在出厂状态下，向存储单元施加特定电压，诱导发生一次电子注入；一次电子注入为沟道中的电子注入浮栅区；出厂状态包括未经历编程擦除循环，或经历编程擦除循环的循环次数小于预设的低次数阈值；通过一次电子注入，在浮栅区与沟道之间建立增强电场，驱动隧穿氧化层中的陷阱电荷释放，并发生二次电子注入；二次电子注入为隧穿氧化层中的电子注入沟道。本申请用于NOR Flash芯片的预处理过程中。