末级缓存模块及其布线方法、装置、设备、介质、程序产品和芯片

本公开提供了一种末级缓存模块及其布线方法、装置、设备、介质、程序产品和芯片，涉及计算机技术领域，尤其涉及芯片技术领域。具体实现方案为：末级缓存模块包括多层金属层、中间逻辑区域、位于所述中间逻辑区域两侧的SRAM区域和多条馈通线；其中，所述SRAM区域包括多个SRAM单元；各所述馈通线位于所述SRAM单元上层的所述金属层中，且所述馈通线穿过所述SRAM区域；其中，所述馈通线与所述SRAM单元之间的所述金属层的层数大于设定层数值；以及，穿过一个所述SRAM单元的所述馈通线的数量与所述金属层的最小可布线通道数量的比例小于设定比例。