一种ASIC专用密码智能芯片老化预测方法

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一种ASIC专用密码智能芯片老化预测方法
申请号:CN202511123343
申请日期:2025-08-12
公开号:CN121008148A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种ASIC专用密码智能芯片老化预测方法,涉及芯片老化预测领域,通过获取芯片电源布线层数据和采集环境参数进行特征融合编码,得到老化敏感度特征向量,基于老化敏感度特征向量进行分数阶老化动力学建模,得到芯片老化状态变化方程,基于芯片老化状态变化方程进行芯片老化状态预测,得到老化轨迹预测序列,提取老化敏感度特征向量分量和老化轨迹预测序列进行剩余寿命概率评估,得到剩余寿命累积分布函数,基于剩余寿命累积分布函数对芯片老化预测不确定性分析,得到双因子风险指标,抓住硬件结构弱点和环境应力之间的耦合老化规律,能精准反映芯片真实的老化敏感点,能给芯片的预防性维护提供准确参考。
技术关键词
老化预测方法 专用密码 智能芯片 累积分布函数 分数阶 芯片电源布线 条件风险价值 采集环境参数 序列 矩阵 寿命 求解线性方程组 静态时序分析 数字温度传感器 时钟树 节点分析法 轨迹 时间卷积网络
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