一种芯片顶层金属线表面钝化层的制备方法

本发明提供了一种芯片顶层金属线表面钝化层的制备方法，属于芯片制造技术领域。所述制备方法包括如下步骤：采用低压化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法，在完成顶层金属线布线的芯片表面沉积第一钝化层；采用高密度等离子体化学气相沉积法在所述第一钝化层表面沉积第二钝化层，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料相同；在所述第二钝化层表面形成第三钝化层，所述第三钝化层和所述第二钝化层的材料不同。本发明提供的制备方法能够有效降低芯片顶层金属线表面钝化层开裂、内部出现孔隙的风险，提高钝化层对芯片的保护效果。