一种功率半导体封装结构及封装方法

本发明提供了一种功率半导体封装结构及封装方法，涉及半导体封装领域，包括：衬板；功率芯片，所述功率芯片包括背面的漏极以及正面的源极，所述功率芯片的背面与所述衬板的正面烧结连接；连接件，包括第一、第二连接部以及中间部，所述第一连接部与所述功率芯片的源极烧结连接，所述第二连接部与所述衬板烧结连接，所述第一连接部和第二连接部为金属的构件，所述第一、第二连接部相对的一面分别设置有连接孔，所述中间部具有柔性导电结构，所述中间部的两端分别插接在第一、第二连接部的连接孔内，本申请既保留了引线键合的优势，使得封装结构更加的灵活，又增大了功率芯片中源极的连接面积，可以有效的实现复杂功能和高速数据传输。