一种隐切阻断及双刀四切的切割方法

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种隐切阻断及双刀四切的切割方法，通过对来料产品背面预减薄，去除Wafer背面防氧化镀层,减少隐切时能量反射，使硅面激光能量反射稳定，使用隐切设备的环切功能对产品边缘一周台阶处进行环切，达到阻隔裂纹向wafer内部延伸的目的；易发生chipping的产品搭配FOW工艺划片双刀四切的切割方法，划片将传统的step cut双刀双切更改为step cut双刀四切，提升产品的整体封装良率和可靠性，在进一步满足产品超薄化、小尺寸叠芯工艺，缩小终端产品集成空间的基础上同时提升产品的封装良率，以此降低封装缺陷带来的不必要成本浪费。