一种阵列LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种阵列LED芯片及其制备方法，涉及LED制造技术领域，阵列LED芯片包括堆叠的N型硅衬底、绝缘层、键合金属层、发光结构层和保护层，N型硅衬底中设置有多个P型掺杂区，P型掺杂区与四周的N型硅衬底区域构成齐纳二级管结构；键合金属层包括多个金属连接结构组，基于金属连接桥连接形成金属线路，金属线路两端分别引出有P电极和N电极；发光结构层包括多个垂直结构发光单元，基于金属线路串联；垂直结构发光单元与齐纳二级管结构并联。本发明中的每个垂直结构发光单元都对应并联有一个齐纳二极管结构，即使某个垂直结构发光单元失效（开路），也不会影响其他垂直结构发光单元的正常工作。