基于二阶局部有源忆阻器的仿真器模型

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基于二阶局部有源忆阻器的仿真器模型
申请号:CN202511136307
申请日期:2025-08-14
公开号:CN120633547B
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于二阶局部有源忆阻器的仿真器模型,基于二阶局部有源忆阻器的数学模型构建其仿真器模型,构建的仿真器模型包括集成运算放大器U1、U2、U3、乘法器U4、U5、U6、U7、U8和电阻、电容,U1用于积分运算和反相放大运算,并输出忆阻器内部的状态变量x;U2用于实现反相放大运算和积分运算,得到忆阻器内部的状态变量y;U3用于实现反相加法运算和反相放大运算,通过串联一个外加电阻得到忆阻器输出电流i;乘法器U4、U5、U6、U7、U8用于实现信号的乘法运算,本申请的仿真器模型可替代实际二阶局部有源忆阻器进行实验和应用研究。
技术关键词
集成运算放大器 乘法器 控制芯片 仿真器 反相放大器 电阻 忆阻器电压 电源 数学模型 电容 积分器 电流 加法器 元器件 信号
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