半导体器件和芯片

本公开提供一种半导体器件和芯片，涉及半导体技术领域，用于提升半导体器件的栅极可靠性；该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、帽层、栅极、源极、漏极和调制层；沟道层和势垒层沿远离衬底的方向层叠设于衬底上；帽层设于势垒层远离衬底的一侧；帽层中掺杂有第一受主；栅极设于帽层远离衬底的一侧；源极和漏极分别设于帽层沿第一方向的两侧；调制层至少设于栅极与帽层之间；调制层中掺杂有第一受主，且调制层中的第一受主的浓度低于帽层中第一受主的浓度；调制层的材料与势垒层的材料均包括铝基氮化物，且调制层中铝的摩尔百分比，小于或者等于，势垒层中铝的摩尔百分比。上述半导体器件应用于芯片中。