一种高压LED芯片结构及发光元件

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一种高压LED芯片结构及发光元件
申请号:CN202511139048
申请日期:2025-08-14
公开号:CN120981061A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种高压LED芯片结构及发光元件,由底层至顶层依次包括半导体层、第一绝缘层、电极层、第二绝缘层及焊盘电极,电极层包含第一、第二和第三电极。通过刻蚀形成的半导体层将多个LED发光单元彼此隔离;第一电极实现相邻单元间的电性串联;第二、第三电极分别沿电流起始与终止方向延伸,实现多点注入与释放。配合绝缘层开口与焊盘连接,可有效降低局部电流拥堵,提升封装兼容性和热可靠性,且无需新增制程工艺。
技术关键词
半导体层 电极 金属导电层 LED发光单元 LED芯片 发光元件 布拉格 刻蚀沟槽 隔离沟槽 焊盘 导电凸块 芯片结构 密封单元 发光层
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