宽温环境下NAND闪存重读稳定性提升方法及系统

本发明涉及数据处理与神经网络技术领域，公开了宽温环境下NAND闪存重读稳定性提升方法及系统。该方法包括在K个预设温度下采集NAND闪存选定存储页中存储单元的阈值电压数据并关联其元属性，通过Embedding和CNN–LSTM网络生成最终的综合特征向量，输入全连接层后输出各编程状态在各预设温度下的谷底区间的起止电压索引；对同编程状态同温度下所有存储页的谷底区间求交集生成该编程状态在该温度下的公共谷底区间；对同编程状态在各预设温度下的公共谷底区间求交集生成宽温兼容谷底区间；计算宽温兼容谷底区间相对标准参考索引的电压偏移量区间并配置重读挡位。本发明旨在提升NAND闪存在宽温环境下的重读稳定性。