一种电容式MEMS器件及其制造方法

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正文
推荐专利
一种电容式MEMS器件及其制造方法
申请号:CN202511151826
申请日期:2025-08-15
公开号:CN121005368A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种电容式MEMS器件及其制造方法。本发明的电容式MEMS器件包括至少一个MEMS芯片,每一个MEMS芯片包括晶圆基底以及设于晶圆基底顶面的结构层,晶圆基底的内部开设有第一空腔结构,结构层覆盖第一空腔结构且包括固定于晶圆基底顶面的振膜和固定于晶圆基底且与振膜间隔形成电容的背极板,晶圆基底的底面开设有朝结构层方向凹陷的槽结构,槽结构部分贯穿晶圆基底设置,第一空腔结构沿第一方向贯穿槽结构的槽底和晶圆基底的顶面;槽结构与第一空腔结构共同形成空气流动通道,槽结构连通第一空腔结构和所述MEMS芯片外部。本发明所述电容式MEMS器件实现了对器件内气压的平衡控制,避免了空气压力对电容式MEMS器件的影响。
技术关键词
MEMS芯片 槽结构 晶圆 基底 空气流动通道 粘接结构 空腔 狭缝结构 通气孔 振膜 电容 薄膜 粘合剂 电极 气压 压力
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