一种小面积的电流模CMOS电压基准电路

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一种小面积的电流模CMOS电压基准电路
申请号:CN202511155430
申请日期:2025-08-18
公开号:CN120994011A
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种小面积的电流模CMOS电压基准电路,其包括偏置电路产生器、负温度系数电流产生器、β倍乘器和镜像基准电压产生器,偏置电路产生器通过多级MOS管构成电流镜,生成稳定的偏置电压VB1和VB2,为负温度系数电流产生器和β倍乘器提供栅极偏置,使对应的MOS管处于亚阈值区,负温度系数电流产生器输出负温度系数电流,β倍乘器对接收到的电流进行倍增,产生正温度系数电流并输出给镜像基准电压产生器,镜像基准电压产生器在VREF输出温度系数低的基准电压。本发明采用全CMOS结构设计,去除了BJT晶体管,仅通过MOS管和电阻实现基准电路功能,显著减小了电路的芯片面积,尤其适用于对面积敏感的低功耗、小尺寸芯片设计场景。
技术关键词
负温度系数电流 电压基准电路 栅极 基准电压 小面积 电阻 偏置电路 正温度系数 镜像 小尺寸芯片 MOS管 电流镜 输入端 低功耗 晶体管 负极 场景
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