一种键合装置及键合方法

AITNT
正文
推荐专利
一种键合装置及键合方法
申请号:CN202511162577
申请日期:2025-08-19
公开号:CN121011541A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供了一种键合装置及键合方法,键合装置包括:键合头主体,用于吸附目标芯片;压电控制层,位于所述键合头主体和所述目标芯片之间;所述压电控制层,包括多个压电阵列点,用于基于所感受到的压力,产生每一所述压电阵列点对应的反馈控制信号;其中,所述压电阵列点基于所述反馈控制信号实现沿第一方向的结构形变,所述第一方向垂直于所述目标芯片的有源面,通过在键合头设置压电控制层结构,基于感受到的压力控制压电阵列点的形变,提高键合界面的应力均匀性,降低形成气泡的风险,提高键合质量。
技术关键词
键合装置 反馈控制信号 真空 芯片 阵列 键合方法 补偿算法 控制层结构 界面 压力 压电材料 电信号 介质 气体 气泡 应力 风险 电流 电压
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号