一种超结终端结构及其制备方法

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一种超结终端结构及其制备方法
申请号:CN202511162856
申请日期:2025-08-19
公开号:CN121013388A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种超结终端结构及其制备方法,超结终端结构中第二导电类型结终端扩展层与第二导电类型终端主结连接;第二导电类型结终端扩展层从上到下依次包括第一扩展层和第二扩展层,第二扩展层与第二导电类型终端区柱连接。本发明设置多层结终端扩展层使电场均匀,避免终端边缘出现电场尖峰,提高器件可靠性、耐压能力及终端效率,减小芯片面积,节约成本;同时配合第一扩展层与第二扩展层的长度关系,降低终端边缘处电场峰值,提高终端效率和器件可靠性;另外设置第一扩展层与第二扩展层的间距范围,优化结终端扩展层对终端结构性能和效率的提升;最后设置结终端扩展层与终端主结的位置关系,优化终端结构表面电场分布均匀性,提高终端效率。
技术关键词
导电 超结终端结构 介质 外延 栅极结构 衬底 电场分布均匀性 优化终端结构 电极 包裹 绝缘 关系 耐压 芯片 间距
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