一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片

本发明涉及一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片，属于半导体技术领域，解决了传统单器件实现布尔逻辑的温度过低、难以工业化应用以及成本过高、工艺繁琐、良率低等问题中的至少一个。一种基于IGZO的多电极非线性器件，包括：衬底、背栅、背栅介质层、IGZO沟道层、多个电极、若干连接线。本发明能够在室温下实现单器件的非线性特性和布尔逻辑功能，降低了非线性器件制备的工艺复杂度以及成本，提升了器件的良率。