发光结构及其制备方法

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发光结构及其制备方法
申请号:CN202511167308
申请日期:2025-08-20
公开号:CN121013530A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种发光结构及其制备方法,发光结构的微型发光二极管芯片包括多个像素单元;疏水层设置于微型发光二极管芯片的一侧,疏水层包括疏水区和亲水区,疏水区和亲水区均覆盖至少一个像素单元;微透镜阵列包括与多个像素单元一一对应设置的多个微透镜单元,多个微透镜单元形成在疏水层背离微型发光二极管芯片的一面。基于此,本申请提供了一种微透镜阵列形成不同图案的方案,能使微型发光二极管芯片具有更丰富的显示性能。
技术关键词
微型发光二极管芯片 发光结构 像素单元 量子点结构 微透镜阵列 光刻胶层 疏水结构 电感耦合等离子体 颜色 透光 光刻工艺 刻蚀工艺 改性 图案
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