一种半导体结构及其制备方法

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推荐专利
一种半导体结构及其制备方法
申请号:CN202511168112
申请日期:2025-08-20
公开号:CN121038349A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明的半导体结构包括PMIC芯片和逻辑芯片。PMIC芯片具有第一表面及与第一表面相对的第二表面,第一表面上设置有多个第一焊盘。逻辑芯片具有第三表面及与第三表面相对的第四表面,第三表面上设置有多个第二焊盘,逻辑芯片与PMIC芯片经第二焊盘与第一焊盘键合。本发明的半导体结构的制备方法首先提供一PMIC芯片,具有第一表面及与第一表面相对的第二表面,第一表面上设置有多个第一焊盘。然后提供一逻辑芯片,具有第三表面及与第三表面相对的第四表面,第三表面上设置有多个第二焊盘。最后将逻辑芯片与PMIC芯片经第二焊盘与第一焊盘键合。能够提高集成密度,降低供电损耗及热效应对供电效率的影响。
技术关键词
半导体结构 芯片 逻辑 焊盘 布线 介质 通孔 损耗 密度
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沪ICP备2023015588号